В статье допущены следующие неточности:
- в N1 на стр.26 (последняя колонка) следует читать: "при
применении "нижнего" ЭМФ в блоке ФОС, ГПД должен генерировать
частоты в пределах 6540...6600 кГц. На выходе СМ1 (при
перестройке частоты ГПД в пределах 7540...7600 кГц и применении
"верхнего" ЭМФ) будет образовываться "зеркальный" SSB-сигнал,
лежащий в полосе частот 8040...8100 кГц;
- в N2 на стр.28 в предпоследнем абзаце первой колонки
следует читать: "установлен П-контур (блок 3) с частотой среза
около 7500 кГц; на стр.31 средняя колонка, второй абзац -
"перестройка по частоте осуществляется с помощью варикапной
матрицы VD33 и VD34"; на рис.3 (узел 12) левый (по схеме) вывод
конденсатора 089 должен быть подключен к базе транзистора VT10,
а не к его коллектору; конденсатор 0107 - электролитический,
подключенный положительным выводом к источнику питания; на
рис.4 (узел 15) емкость С64 - 5...20 пФ, С105 - 0,1 мкФ;
- в номере N3 на стр.26 первый абзац следует читать:
"подавая на вари-кап напряжение +1 ..6 В"; третья колонка,
третий абзац-"сместить АЧХ можно используя ферритовое кольцо
... проницаемостью 1000...2000"; на стр.29 вторая колонка -
"подавление нерабочей полосы и других побочных излучений равно:
П=10lg(Рmax/Рнес), дБ;"
- в списке литературы в [4] следует читать C.48-49; в [8]
- 1984.
Автор и редакция приносят извинения читателям за
допущенные неточности.
В.АРТЕМЕНКО.
